Кремниевая фотоника современное состояние и перспективы развития. Современная и особенности

Фотоника – это физическое учение о генерации света (фотонов), его обнаружении, преобразовании, эмиссии, передаче, модуляции, обработке сигналов, переключении, усилении и индикации. Большинство применений задействовано в области видимого и инфракрасного излучения, хотя сфера применения распространяется на всю область спектра.

Перспективной областью исследований является кремниевая фотоника, и дальнейшее развитие отрасли связано с ростом успехов этого направления.

История

Фотоника выделилась с созданием в 1960 году лазера. За этим изобретением последовали: лазерный диод в 1970-х годах, для передачи данных, и оптический усилитель на волокне, легированном эрбием. Эти изобретения создали основу для телекоммуникационной революции в конце 20-го века и обеспечили создание инфраструктуры Интернета.

Широкое распространение термин получил в 1980-х годах, когда операторы телекоммуникационных сетей освоили передачу данных по оптоволокну, способствовала его распространению фирма Bell Laboratories. Использование слова закрепилось, когда Общество лазеров и электронной оптики Института инженеров электротехники и электроники учредило в конце 1980-х годов журнал Photonics Technology Letters.

В течение периода, приведшего к краху доткомов (интернет-компаний) около 2001 года, к сфере фотоники относились в основном оптические сети связи. К настоящему времени она объемлет огромное количество научных и технологических приложений, включая производство лазеров, биологическое и химическое зондирование, медицинскую диагностику и терапию, технику отображения информации и оптические вычисления.

Фотоника, связь с прочими областями

Классическая оптика

Здесь связь очень тесная. Классическая оптика предшествовала открытию, что свет дискретен, что стало совершенно ясно, когда Альберт Эйнштейн триумфально обосновал в 1905 году природу фотоэлектрического эффекта. К оптическим инструментам относятся преломляющие линзы, отражающие зеркала, и многочисленные оптические компоненты, и инструменты, разработанные с 15-го по 19-й века. Выявленные в 17 веке основополагающие принципы классической оптики, наподобие принципа Гюйгенса, и выписанные в 19 веке уравнения Максвелла, и волновые уравнения, не основываются на квантовых свойствах света.

Современная оптика

Эта область науки связана с оптомеханикой, электрооптикой, оптоэлектроникой и квантовой электроникой. Однако, каждой области свойственны свои особенности, свои научные сообщества и место на рынке.

К квантовой оптике обычно относят проведение фундаментальных исследований, а фотоника это прикладные исследования и разработки:

Изучение свойств частиц света.
Создание устройств обработки сигнала с использованием фотонов.
Практические приложения оптики.
Создание устройств, аналогичных электронным.

Термин «оптоэлектроника» приложим к устройствам или схемам, которым одновременно свойственны электрические и оптические функции, т.е. к тонкопленочным полупроводниковым устройствам. Ранее использовался термин «электрооптика», и к электрооптике относились нелинейные устройства с электрооптическими взаимодействиями, как, например, модуляторы на объемных кристаллах (ячейки Поккельса), а также перспективные датчики изображения, обычно используемые гражданскими или правительственными организациями для наблюдения.

Вновь возникающие области

Фотоника тесно связана с возникающими квантовой информатикой и квантовой оптикой, в той части, где они используют общие методы. Прочие вновь возникающие направления включают оптомеханику, занимающуюся изучением влияния на свет механических вибраций мезоскопических или макроскопических объектов, и создание устройств, объединяющих фотонные и атомные приборы для служб хранения времени, навигации и метрологии. Отличие поляритоники заключается в том, что фундаментальными носителями информации являются поляритоны (смеси фотонов и фононов), работающие в диапазоне частот от 300 Ггц до примерно 10 ТГц.

Обзор исследований

Фотоника занимается исследованиями эмиссии, передачи, усиления, обнаружения и модуляции света.

Источники света

Источники света в фотонике обычно устроены конструктивно посложнее . Используются , суперлюминесцентные диоды и лазеры, а также однофотонные источники, электронно-лучевые трубки и плазменные экраны. При этом электронно-лучевые трубки, плазменные экраны и дисплеи генерируют свой собственный свет, в то время как ЖК-дисплеи (подобные TTF-экранам), требуют фоновой подсветки от с холодным катодом или, гораздо чаще, светодиодов.

Для полупроводниковых источников света характерно то, что взамен классических полупроводников (кремния и германия) чаще используются интерметаллиды. Примерами используемых систем материалов являются арсенид галлия (GaAs) и арсенид галлия и алюминия (AlGaAs), либо иные составные полупроводники. Эти материалы также используются в соединении с кремнием для изготовления гибридных кремниевых лазеров.

Среда передачи данных

Свет может проходить через любую прозрачную среду. Для направления света по нужному пути можно использовать стекловолокно или пластиковое оптоволокно. В системах оптической связи оптоволокно позволяет передавать данные на расстояния свыше 100 км без усиления, в зависимости от скорости цифрового потока и вида применяемой для передачи модуляции. Очень перспективным направлением исследования является разработка и производство специальных структур и материалов с заданными оптическими свойствами — фотонных кристаллов, фотонно-кристаллического оптоволокна и метаматериалов.

Усилители

Для усиления оптических сигналов используются оптические усилители. В оптических линиях связи используются легированные эрбием оптоволоконные усилители, полупроводниковые оптические усилители, усилители на эффекте Рамана и оптические параметрические усилители. Очень перспективной областью является исследование квантовых точечных полупроводниковых оптических усилителей.

Обнаружение (детектирование)

Фотодетекторы предназначены для обнаружения света, к ним относятся устройства разной степени быстродействия: быстродействующие фотодиоды, среднескоростные приборы с зарядовой связью, инертные , применяемые для преобразования световой энергии Солнца в электрическую. Существует также и множество фотодетекторов, основанных на термических, химических, квантовых, фотоэлектрических и прочих эффектах.

Модуляция

Модуляция источников света используется для кодирования информации, передаваемой источниками света. Одним из самых простых примеров прямой модуляции источника света является включение и выключение фонарика для передачи сообщения кодом Морзе. Возможно и управление источником света посредством внешнего оптического модулятора.

Дополнительной областью исследований является вид модуляции. В оптической коммуникации обычно применяемым видом модуляции является переключение по типу «включено-выключено». В последние годы разработаны более совершенные виды модуляции наподобие фазового сдвига или ортогонального уплотнения каналов с частотным разделением для нейтрализации ухудшающих качество передачи сигнала эффектов наподобие дисперсии.

Фотонные системы

Наука занимается также исследованиями фотонных приборов для применения в системах оптической связи. Данная область исследований фокусируется на внедрении фотонных устройств, подобных высокоскоростным фотонным сетям, и объемлет исследования оптических регенераторов, улучшающих качество оптических сигналов.

Фотонные интегральные схемы

К областям микрофотоники и нанофотоники обычно относятся устройства на фотонных кристаллах и твердотельные устройства.

Фотонные интегральные схемы – это оптические активные интегральные полупроводниковые фотонные приборы, состоящие по меньшей мере из двух различных функциональных блоков (области усиления и лазерных зеркал на основе решетки). Эти устройства с улучшенными характеристиками ответственны за коммерческий успех оптической связи и возможность увеличения доступной ширины полосы без существенного увеличения стоимости связи для конечного потребителя. Наиболее часто применяются фотонные интегральные схемы на основе фосфида индия.

Применения

Фотоника стала вездесущей и проникла во все области повседневной жизни. Совершенно так же, как изобретение в 1948 году транзистора существенно расширило приложения электроники, продолжают развиваться уникальные приложения отрасли, которые фактически безграничны.

К экономически важным приложениям полупроводниковых фотонных приборов относятся:

Запись и обработка оптических данных.
Отображение информации.
Оптическая накачка мощных лазеров.
Телекоммуникации: связь посредством оптоволокна, оптические конверторы с понижением частоты.
Вычисления посредством фотонных компьютеров: распределение синхросигналов и коммуникация между компьютерами, печатными платами, или в пределах оптоэлектронных интегральных схем.
Бытовая аппаратура.
Освещение.
Основанная на ксерографии лазерная печать.
Сканеры штрих-кодов, принтеры.
CD/DVD/Blu-Ray устройства.
Устройства дистанционного управления.
Медицина: мониторинг здоровья, диагностика, коррекция слабого зрения, лазерная хирургия, хирургическая эндоскопия, удаление татуировки.
Промышленность: использование лазера для сварки, сверления отверстий, резки и обработки поверхностей различными методами.
Робототехника.
Сельское хозяйство.
Химический синтез.
Термоядерная энергетика.
Строительство: лазерное нивелирование, лазерные дальномеры, интеллектуальные конструкции.
Авиация: фотонные гироскопы без подвижных деталей.
Военная техника: системы лазерной обороны, ИК-датчики, управление, навигация, поисково-спасательные операции.
Метрология: измерение времени, частоты и расстояний.
спектроскопия.
Залегание и обнаружение пластов в шахтах.
Индустрия развлечений: лазерные шоу, голографическое искусство.
В будущем: квантовые вычисления.

Кремниевая фотоника - одно из наиболее перспективных направлений в электронике, которое обещает значительное снижение энергопотребления и увеличение пропускной способности. Эта технология позволяет создавать электронно-оптические микросхемы на одном кристалле кремния, что позволяет отдельным чипам взаимодействовать посредством оптических, а не электрических сигналов. На создание первой работающей гибридной микросхемы у IBM ушло около 12 лет. Повышение производительности систем с такими чипами позволяет создавать намного более мощные суперкомпьютеры, чем те, что работают сейчас.

Так, использование импульсов света вместо электрических импульсов позволяет обеспечить быструю передачу очень больших массивов информации как в пределах одного чипа, так и между разными частями электронной вычислительной системы. Ранее корпорации удалось создать фотонный приемопередатчик, который обеспечивал функцию мультиплексирования каналов по длине волны света. Теперь компания смогла разместить чипы , выполненные по технологии кремниевой фотоники, прямо на модуле процессора.

Берт Оффрейн, руководитель группы фотоники отдела IBM Research - Zurich, вместе коллегами из Европы, США и Японии предлагает рассматривать чипы выполненные по технологии кремниевой фотоники наравне с обычными кремниевыми процессорами. Технология изготовления таких чипов также предлагается гибридная. Команда продемонстрировала эффективную работу гибридного чипа, что позволяет говорить о возможном прорыве в технологии кремниевой фотоники. Текущие разработки обычно предполагают использование оптического трансивера на краю платы. Но это - не выход, поскольку трансивер расположен достаточно далеко от процессора, и производительность системы значительно снижается.

Голубые линии - оптические световоды, передающие информацию в виде импульсов света. Оранжево-желтые структуры - медные проводники, по которым проходят скоростные электрические сигналы. Разработчикам удалось интегрировать оба типа проводников на одном чипе .

Разработка же гибридных микросхем позволяет достичь многократного увеличения производительности всей системы, где используются такие чипы. Команде разработчиков удалось разработать метод соединения полимерных и кремниевых световодов, несмотря на то, что размеры таких структур очень разные.

Компьютерные системы с гибридными чипами такого типа будут использоваться для работы с огромными массивами данных, что позволит проводить аналитические вычисления, обрабатывая данные за считанные секунды. Когнитивные вычислительные суперсистемы смогут помочь вывести технологии и науку на новый уровень. Но специалистам предстоит еще изрядно потрудиться, прежде чем все это станет возможным.

Не исключено, что когда-нибудь средствами кремниевой фотоники весь огромный ЦОД можно будет превратить в единый гипермасштабируемый компьютер , а если принять во внимание достигнутые к тому времени успехи в области искусственного интеллекта , то несложно представить себе нечто наподобие Океана на Солярисе, описанного Станиславом Лемом . Пока же нынешние серверы и ЦОДы по своему состоянию напоминают ПК в их бытность до появления SATA и USB : внутри - нескладные ленточные кабели, снаружи - последовательные и параллельные порты для мыши, клавиатуры и колонок. Но уже в 2025 году картина станет иной: все будет унифицировано и подключено по оптоволокну, что обеспечит качественно иной подход к целому ряду задач, в частности, к масштабированию и высокопроизводительным вычислениям. И все это станет возможным благодаря достижениям в области кремниевой фотоники.

Кремниевой фотоникой называют синергию двух групп технологий - электроники и оптики, которая позволяет принципиально изменить систему передачи данных на расстояниях от миллиметров до тысяч километров. По значимости результат внедрения кремниевой фотоники сравнивают с изобретением полупроводников, потому что ее внедрение позволяет еще на много лет вперед сохранить действие закона Мура , составляющего базис развития информационных и коммуникационных технологий.

Тем, кому интересны фундаментальные основы этого направления, можно порекомендовать вышедшую в 2017 году научно-популярную книгу «Кремниевая фотоника - источник следующей информационной революции» (Daryl Inniss, Roy Rubenstein "Silicon Photonics: Fueling the Next Information Revolution"). Более серьезные введения в кремниевую фотонику - книга «Silicon Photonics III: Systems and Applications» группы авторов и «Silicon Photonics: An Introduction» (Graham T. Reed, Andrew P. Knights). Также на эту тему есть несколько полезных материалов на сайте компании Mellanox .

Как это работает

Если же ограничиться практическими приложениями к компьютингу, то, как и в случае с электроникой, оптику и физику твердого тела можно оставить в стороне. Для понимания на системотехническом уровне достаточно самых поверхностных сведений о предмете. Казалось бы все очевидно: последовательность электрических сигналов преобразуется передатчиком T в последовательность оптических сигналов. По кабелю она попадает в приемник R, который возвращает им электрическую форму. В качестве источников света могут использоваться несколько типов лазеров, а для передачи одно- или мультимодальные кабели.

Но не стоит забывать о научной и инженерной сложности проблем, возникающих при реализации принципов кремниевой фотоники. О ней можно судить хотя бы по тому, что первые экспериментальные работы в этом направлении датируются еще серединой 80-х годов ХХ века, попытки коммерческих разработок были сделаны в начале 2000-х годов, а первые коммерческие результаты были получены только после 2016 года. Сорок лет... При том, что практическое использование оптоволоконной связи началось в середине шестидесятых, а экспериментальные работы - намного раньше.

Суть проблемы материалов на основе кремния заключается в невозможности работать на тех же частотах, которые используются в волоконной оптике, а использовать альтернативные материалы практически невозможно по экономическим причинам. В существующие технологии полупроводникового производства вложены колоссальные средства. Для реализации принципов кремниевой фотоники их нужно адаптировать к существующим технологиям. Решением может быть включение в состав микросхем миниатюрных приемников и передатчиков и прокладка между ними соответствующих волноводов. Это сложнейшая инженерно-техническая задача, которая по состоянию на 2017 год решена.

Раньше других это удалось сделать Intel - корпорация уже предложила свои продукты рынку. Вскоре следует ожидать объявлений от IBM , за ними последуют Mellanox , Broadcom , Ciena , Juniper и ряд других крупных компаний. Параллельно скупаются добившиеся успеха стартапы. Процесс пошел, но не быстро. Трудности вызваны тем, что создание новых продуктов требует значительных средств и времени, что дает преимущества крупнейшим вендорам.

Четыре уровня коммуникаций

Технологии кремниевой фотоники уже сегодня позволяют создавать 100 Гбит Ethernet , а в обозримом будущем 400 Гбит и 1 Тбит. Такие скорости обмена данными открывают возможности для конвергенции современных архитектур в качественно новые - на уровне стойки RSA (Rack-Scale Architecture) и на уровне ЦОДа ESSA (Extended-scale system architecture). Предел первой ограничен так называемым подом (одной или несколькими стойками), вторая охватывает весь ЦОД. Компоненты этих инфраструктур связываются удаленно по шине PCIe (PCIe-bus interconnects at a distance).

Средствами силиконовой фотоники создается иерархическая система коммуникаций, разделенная на 4 уровня:

Уровень 1 «Чип» : Внедрение технологий кремниевой фотоники внутрь чипа интересно по нескольким соображениям:

Чипов существенно больше, чем стоек, следовательно, потребность в приемниках и передатчиках велика, и эти технологии будут быстро развиваться.
Существенно повысятся скорости обмена вне чипа, поэтому могут заметно измениться принципы системного проектирования.
В отдаленной перспективе можно представить, что и между компонентами чипа могут использоваться оптические коммуникации, например для обмена между ядрами. Но на таких коротких расстояниях медь надолго сохранит свои позиции.

Вот и наступила весна… А вместе с ней пришла пора очередного Форума Intel для разработчиков (IDF), проводимого дважды в год в солнечной Калифорнии и регулярно гостящего в других городах мира (с недавних пор - и в России). Причем, весна в данном случае пришлась не просто для красного словца - в Сан-Франциско, где IDF в очередной раз проходит с 1 по 3 марта в громадном конференц-центре Moscone West,

действительно сейчас тепло, цветут деревья и кусты, обдавая весенними ароматами, а местные жители ходят по улицам в рубашках или легких куртках, если нет дождя. На этом жизнерадостном фоне прилетев из заснеженной Москвы не так просто было бы просиживать целыми днями в конференц-залах и пресс-румах, толкаться среди нескольких тысяч посетителей и организаторов IDF на шоу-кейсах и в кулуарах. Если бы не та, порой уникальная и захватывающая информация, которая громадными порциями сваливается на тебя, не оставляя ни минуты покоя. Даже мне, регулярному посетителю центральных Форумов Intel (а также многих других выставок и конференций сходной тематики), пресытившемуся, казалось бы, подобными мероприятиями и воспринимающими их едва ли не как очередной голливудский блокбастер, добротно слепленный по давно известным клише, нередко приходится удивляться тому потоку новинок, который заготовили для участников IDF его организаторы. Удивляться и даже местами восхищаться…

Нашим постоянным читателям, наверное, уже нет нужды объяснять, что такое Intel Developer Forum и «с чем его едят». Это мероприятие, регулярно в течение многих лет проводимое корпорацией Intel и ее ближайшими друзьями по IT-цеху, имеет свои индивидуальные особенности, отличающие его как от различных компьютерных выставок (вроде CeBIT, Computex, Comdex или CES, где сотни и тысячи производителей IT-продукции хвастаются своими достижениями с целью их повыгоднее продать), так и от крупных мировых научных и технических конференций (вроде Material Research Society Meeting, IEEE и других подобных, где сотни ведущих мировых институтов и исследовательских лабораторий сообщают о новейших научных открытиях, изобретениях и технологиях, внедрением которых предстоит заниматься еще немало лет). На мой взгляд, IDF все же ближе именно к последним, чем к первым. Поскольку Intel, расходующая на Research & Development более 4 миллиардов долларов ежегодно, на IDF как раз старается продемонстрировать не столько текущие и готовые к выпуску на рынок продукты (микропроцессоры, платформы и пр.),

сколько сообщить индустрии тот вектор, в котором она будет развиваться в течение ближайших лет. Обнародовать те нынешние и будущие технологии, внедрением которых корпорация занимается вместе со своими партнерами и другими IT-разработчиками, привлечь на свою сторону новых исследователей и инженеров (то есть «девелоперов», по названию Форума), а возможно, и обсудить целесообразность тех или иных шагов в рамках всего IT-сообщества. И хотя, безусловно, «выставочно-продажная» канва на IDF в некоторой мере тоже присутствует, наиболее ценной и интересной, на мой взгляд, является именно исследовательски-технологическая его часть.

Вот и «нулевой» день нынешнего IDF, прошедший 28 февраля для ведущей прессы и аналитиков со всего мира, преподнес несколько сюрпризов, о чем я и постараюсь рассказать в этом репортаже, предваряющем рассказ о самом Форуме.

Кремниевая нанотехнология: взгляд на 20 лет вперед

В первом докладе нулевого дня речь пошла о том, какими путями может и будет развиваться кремниевая технология производства вычислительных устройств в ближайшие десятилетия. Кратко и примитивно это можно было бы назвать «оправданием закона Мура на 20 лет вперед», если бы такой банальный на первый взгляд посыл не был подкреплен захватывающими дух деталями научных исследований в области нанотехнологий и их воплощением на практике в технологии промышленного масштаба. Доклад представил Пауло Джарджини (Paulo Gargini, на фото), директор Intel Technology Strategy и Intel Nanotechnology Research.

Более чем часовая презентация проходила в очень быстром темпе, не давая ни на секунду опомниться и спокойно поразмышлять над тем или иным слайдом. Ее подробный пересказ, видимо, был бы полезен для некоторых наших вдумчивых читателей. Но он занял бы непомерно много места (это около сотни «серьезных» слайдов, к каждому из которых еще нужно добавить немало комментариев). Поэтому я отмечу лишь отдельные наиболее интересные, на мой взгляд, моменты, тем более что некоторые из присутствовавших в нем деталей я и мои коллеги уже описывали в своих статьях по результатам предыдущих IDF и недавних «технологических прорывов» Intel. Более развернуто я изложу этот материал, возможно, в другой раз.

Последние 40 лет число элементов на кремниевых кристаллах неуклонно продолжало удваиваться каждые два года, а стоимость одного транзистора на кристалле теми же темпами снижалась.

Лет 10 назад ученые предрекали большие проблемы при переходе к 100-нанометровым приборам, но, к счастью, этого не случилось, и нынче у лидеров отрасли есть хорошо изученные перспективы развития традиционной кремниевой технологии с планарными КМОП-транзисторами еще лет на 10 вперед (см. слайд).

Необходимость в принципиально новых электронных приборах возникнет лишь году к 2013-му, когда возможности миниатюризации нынешних приборов фактически будут исчерпаны.

Среди новых кремниевых приборов рассматриваются многозатворные (например, tri-gate) нанотранзисторы, приборы на основе кремниевых нанотрубок, полностью окруженные затвором, а также приборы с квазибаллистическим транспортом.

В более отдаленной перспективе рассматриваются также углеродные нанотрубки диаметром в единицы нанометров, которые, в зависимости от строения, могут выступать в качестве металла или полупроводника. Интересными для наноэлектроники являются приборы на базе гетероструктур InSb (с уникально высокой подвижностью), см. слайд.

А что же будет после 2020 года, когда КМОП-технология исчерпает возможности миниатюризации, достигнув атомарного предела?

Тогда в ход, возможно, пойдет спинтроника - оперирование магнитными моментами элементарных частиц:

Кое-кто поговаривает и о квантовых компьютерах. Пока же КМОП-технология жива и закон Мура будет действовать еще, по крайней мере, лет 15-20.

Кремниевая фотоника: новый прорыв

Другим интересным событием нулевого дня этого IDF стал доклад о , созданном на кремниевом кристалле в Intel. Строго говоря, новость об этом обошла мир за несколько дней до IDF (17 февраля вышла соответствующая статья в Nature и пресс-релиз корпорации), но здесь главные разработчики нового прибора прилюдно поделились многими доселе неизвестными деталями и продемонстрировали аудитории многочисленные кристаллы с такими лазерами. Например, на этом фото (фото автора) кристалл содержит сразу 8 таких лазеров.

Не вдаваясь в подробности, отметим, что для того, чтобы создать такой лазер на кремнии, ученым Intel пришлось решить важную проблему - так называемой «двухфотонной абсорбции», которая ранее препятствовала созданию непрерывного лазера на кремнии.

Использование кремния в качестве материала для создания лазера и для многократного усиления ИК-излучения (благодаря гигантскому, примерно в 20000 раз эффекту Рамана),

прежде было проблематично, поскольку рамановское усиление при мощной накачке выходило в насыщение, и получаемой при насыщении мощности не хватало для создания непрерывного лазера.

Дело в том, что энергии одного инфракрасного фотона (кванта света) недостаточно для того, чтобы при соударении с атомом кристаллической решетки кремния выбить из него (освободить) электрон. Однако если с атомом столкутся сразу два фотона (что нередко происходит при интенсивной накачке лазера внешним излучением), то ионизация атома становится возможной, и свободные электроны в кремнии начинают сами поглощать фотоны, препятствуя тем самым дальнейшему рамановскому усилению. Проблему удалось решить, создав вдоль оптического канала так называемую p-i-n-структуру (области кремния с дырочной и электронной проводимостью соответственно по бокам нелегированного оптического канала в кремнии, см. рисунок).

Подавая электрическое смещение между p- и n-областями кремния, «двухфотонные» свободные электроны можно эффективно удалять из области оптического канала, существенно повышая тем самым рамановское усиление в кремнии и создавая непрерывный лазер.

На базе данного решения можно создавать два важных оптических прибора прямо на едином кристалле кремния - усилитель и модулятор сигналов.

А также при помощи каскадов зеркал (расположенных прямо на кремнии) делать многоволновые оптические каналы связи и компактные лазеры для различных применений.

В руках у Mario Paniccia, директора Intel Photonic Technology Lab, кристалл нового непрерывного кремниевого лазера (справа) и традиционный дорогой рамановский оптический усилитель (слева):

Это достижение сотрудников Intel открывает новые горизонты развития кремниевой фотоники и ее дальнейшего внедрения в традиционную микроэлектронику.

65 нанометров - следующая цель зеленоградского завода «Ангстрем-Т», которая будет стоить 300-350 миллионов евро. Заявку на получение льготного кредита под модернизацию технологий производства предприятие уже подало во Внешэкономбанк (ВЭБ), сообщили на этой неделе «Ведомости» со ссылкой на председателя совета директоров завода Леонида Реймана. Сейчас «Ангстрем-Т» готовится запустить линию производства микросхем с топологией 90нм. Выплаты по прошлому кредиту ВЭБа, на который она приобреталась, начнутся в середине 2017 года.

Пекин обвалил Уолл-стрит

Ключевые американские индексы отметили первые дни Нового года рекордным падением, миллиардер Джордж Сорос уже предупредил о том, что мир ждет повторение кризиса 2008 года.

Первый российский потребительский процесор Baikal-T1 ценой $60 запускают в массовое производство

Компания «Байкал Электроникс» в начале 2016 года обещает запустить в промышленное производство российский процессор Baikal-T1 стоимостью около $60. Устройства будут пользоваться спросом, если этот спрос создаст государство, говорят участники рынка.

МТС и Ericsson будут вместе разрабатывать и внедрять 5G в России

ПАО "Мобильные ТелеСистемы" и компания Ericsson заключили соглашения о сотрудничестве в области разработки и внедрения технологии 5G в России. В пилотных проектах, в том числе во время ЧМ-2018, МТС намерен протестировать разработки шведского вендора. В начале следующего года оператор начнет диалог с Минкомсвязи по вопросам сформирования технических требований к пятому поколению мобильной связи.

Сергей Чемезов: Ростех уже входит в десятку крупнейших машиностроительных корпораций мира

Глава Ростеха Сергей Чемезов в интервью РБК ответил на острые вопросы: о системе «Платон», проблемах и перспективах АВТОВАЗа, интересах Госкорпорации в фармбизнесе, рассказал о международном сотрудничестве в условиях санкционного давления, импортозамещении, реорганизации, стратегии развития и новых возможностях в сложное время.

Ростех "огражданивается" и покушается на лавры Samsung и General Electric

Набсовет Ростеха утвердил "Стратегию развития до 2025 года". Основные задачи – увеличить долю высокотехнологичной гражданской продукции и догнать General Electric и Samsung по ключевым финансовым показателям.